Список вопросов базы знаний

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) отрицательными

?) нейтральными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) положительными

?) нейтральными

?) электрическими или оптическими

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) обладающий усилительными свойствами

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытый оптический канал

?) управляемый оптический канал

?) простой светопровод

?) светодиодные

?) люминесцентные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) концентрация основных носителей заряда

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) напряженность поля р-n перехода

?) обратный ток

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) средних и высоких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) низких и средних частотах

?) низких частотах

?) малых

?) больших высокочастотных

?) малых низкочастотных

?) больших

?) 4 до 640 K

?) 140 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) ФЧХ с отрицательным

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) смещение перехода в прямом направлении

?) вплавления примесей

?) уменьшения толщины базы

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два p-n-перехода

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для задержки сигналов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) контакт металл - полупроводник

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) электронно-дырочный переход