Список вопросов базы знаний

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два p-n-перехода

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) отрицательными

?) прямыми или обратными

?) положительными

?) нейтральными

?) прямыми или обратными

?) нейтральными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) обладающий усилительными свойствами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) управляемый оптический канал

?) открытый оптический канал

?) простой светопровод

?) одно- и многоразрядные

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) обратный ток

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) концентрация основных носителей заряда

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) низких и средних частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) малых низкочастотных

?) малых

?) больших высокочастотных

?) больших

?) 4 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) 140 до 640 K

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с отрицательным

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) смещение перехода в прямом направлении

?) уменьшения толщины базы

?) вплавления примесей

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) электронно-дырочный переход

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) контакт металл - полупроводник

?) область, из которой инжектируются носители заряда