Список вопросов базы знаний

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) прямыми или обратными

?) отрицательными

?) нейтральными

?) положительными

?) положительными

?) нейтральными

?) прямыми или обратными

?) электрическими или оптическими

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) обладающий усилительными свойствами

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) открытый оптический канал

?) управляемый оптический канал

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) простой светопровод

?) одно- и многоразрядные

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) напряженность поля р-n перехода

?) обратный ток

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) концентрация основных носителей заряда

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) низких частотах

?) низких и средних частотах

?) средних и высоких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) больших

?) больших высокочастотных

?) малых низкочастотных

?) малых

?) 4 до 640 K

?) 4 до 240 K

?) 140 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) ФЧХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с отрицательным

?) ВАХ с положительным

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) смещение перехода в прямом направлении

?) уменьшения толщины базы

?) вплавления примесей

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) электронно-дырочный переход

?) контакт металл - полупроводник

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) область, в которую инжектируются носители заряда