Список вопросов базы знаний

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) нейтральными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) отрицательными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) нейтральными

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) обладающий усилительными свойствами

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) простой светопровод

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) управляемый оптический канал

?) открытый оптический канал

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация основных носителей заряда

?) обратный ток

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких и средних частотах

?) больших высокочастотных

?) малых низкочастотных

?) малых

?) больших

?) 4 до 240 K

?) 140 до 640 K

?) 4 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с отрицательным

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с положительным

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) вплавления примесей

?) уменьшения толщины базы

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) смещение перехода в прямом направлении

?) основных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для задержки сигналов

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) электронно-дырочный переход

?) контакт металл - полупроводник

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) область, в которую инжектируются носители заряда