Список вопросов базы знаний

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) нейтральными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) отрицательными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) нейтральными

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) обладающий усилительными свойствами

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) управляемый оптический канал

?) простой светопровод

?) открытый оптический канал

?) люминесцентные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) светодиодные

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) обратный ток

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация основных носителей заряда

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких и средних частотах

?) низких частотах

?) малых

?) больших высокочастотных

?) больших

?) малых низкочастотных

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) 4 до 640 K

?) 140 до 640 K

?) ВАХ с отрицательным

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) уменьшения толщины базы

?) смещение перехода в прямом направлении

?) вплавления примесей

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) основных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) контакт металл - полупроводник

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) электронно-дырочный переход