Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.

Список вопросов базы знаний

Электротехника и электроника

Вопрос id:1276097
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
?) БИС
?) СБИС
?) МИС
?) СИС
Вопрос id:1276098
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является
?) БИС
?) СБИС
?) МИС
?) СИС
Вопрос id:1276099
Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное
?) двум
?) четырем
?) одному
?) трем
Вопрос id:1276100
Биполярный транзистор:
?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом
?) полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
?) полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода
?) полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода
Вопрос id:1276101
В активном режиме работы транзистора
?) переходы не смещены
?) коллекторный пере­ход смещен в прямом направлении
?) эмиттерный пере­ход смещен в прямом направлении
?) эмиттерный пере­ход смещен в обратном направлении
Вопрос id:1276102
В обозначении светодиода вторая буква указывает на
?) вид прибора
?) материал изготовления
?) подвид светодиода
?) конструктивное исполнение
Вопрос id:1276103
В обозначении светодиода первая буква указывает на
?) материал изготовления
?) вид прибора
?) подвид светодиода
?) конструктивное исполнение
Вопрос id:1276104
В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фо­топриемника обычно применяются: 1) диод; 2) тиристор; 3) резистор; 4) пара диодов; 5) конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного
?) 1, 2, 3, 5
?) 2, 4, 5, 6
?) 1, 2, 3, 4
?) 1, 3, 4, 5
Вопрос id:1276105
В режиме насыщения биполярного транзистора:
?) оба перехода смещены в обратном направлении
?) коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный в прямом
?) оба перехода смещены в прямом направлении
?) коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный находится под очень малым прямым напряжением
Вопрос id:1276106
В режиме насыщения транзистора
?) эмиттерный пере­ход смещен в обратном направлении
?) коллекторный пере­ход смещен в обратном направлении
?) коллекторный пере­ход смещен в прямом направлении
?) переходы не смещены
Вопрос id:1276107
В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме
?) фотогенератора
?) фотоизлучателя
?) фотопреобразователя
?) фотоусилителя
Вопрос id:1276109
Время, за которое инжек­тируемые носители электричества проходят базу, называется
?) время жизни
?) среднее время пролета
?) среднее время восстановления
?) время рассасывания
Вопрос id:1276110
Входные характеристики биполярного транзистора для схемы с общей базой характеризуют
?) барьерной емкостью
?) диффе­ренциальным сопротивлением
?) диф­ференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока
?) дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода
Вопрос id:1276111
Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется
?) фотодиодом
?) светодиодом
?) оптопарой
?) лазером
Вопрос id:1276113
Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как
?) конденсаторы
?) резисторы
?) транзисторы
?) индуктивные
Вопрос id:1276115
Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного
?) 2, 4
?) 1, 4
?) 1, 3
?) 2, 3
Вопрос id:1276116
Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников посто­роннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного
?) 2, 4
?) 1, 4
?) 2, 3
?) 1, 3
Вопрос id:1276117
Если геометрическое расстояние между валентной зо­ной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой
?) лавинный
?) механический
?) туннельный
?) тепловой
Вопрос id:1276118
Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой
?) туннельный
?) механический
?) тепловой
?) лавинный
Вопрос id:1276119
Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой
?) люмено-амперной
?) переходной
?) вольт-амперной
?) люкс-амперной
Вопрос id:1276120
Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эк­вивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы
?) 2, 4
?) 1, 2
?) 1, 3
?) 3, 4
Вопрос id:1276121
Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптиче­ским каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного
?) 1, 2, 4
?) 1, 4, 5
?) 1, 3, 5
?) 2, 3, 4
Вопрос id:1276122
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют
?) светодиодом
?) фотодиодом
?) оптодиодом
?) стабилитроном
Вопрос id:1276123
Инерционность полевого транзистора опре­деляется в основном
?) процессами перезаряда барьерной емкости р-n-перехода
?) большим сечением канала
?) малой скоростью основных носителей
?) поверхностными утечками в области выводов
Вопрос id:1276124
Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции
?) 2N
?) lg N
?) ln N
?) N
Вопрос id:1276125
Интегральная схема:
?) интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
?) интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
?) микроэлектронное изделие, выполняющее определён­ную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых элементов и кристаллов, которое рассматривается как единое целое
?) интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
Вопрос id:1276126
Интервал, в течение которого обратное напряжение на диоде при его переключении начинает быстро возрастать (по модулю), называется временем
?) рассасывания
?) восстановления
?) жизни
?) спада
Вопрос id:1276127
Источником когерентного оптического излучения является
?) светоизлучающий диод
?) фотодиод
?) оптрон
?) полупроводниковый лазер
Вопрос id:1276128
Источником некогерентного оптического излучения является
?) светоизлучающий диод
?) полупроводниковый лазер
?) оптрон
?) фотодиод
Вопрос id:1276129
К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
?) 1, 4, 5
?) 1, 4
?) 2, 3, 5
?) 1, 3, 4
Вопрос id:1276130
К основным типам индикаторов относятся: 1) полупро­водниковые; 2) твердотельные; 3) вакуумные люминес­центные; 4) плазменные; 5) газоразрядные; 6) жидкокристаллические - из перечисленного
?) 1, 3, 5, 6
?) 1, 2, 4, 6
?) 3, 4, 5, 6
?) 1, 2, 3, 4
Вопрос id:1276131
К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
?) 1, 2, 3
?) 2, 3, 5
?) 2, 3
?) 1, 4
Вопрос id:1276132
К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного
?) 1, 4
?) 1, 2
?) 2, 3
?) 3, 4
Вопрос id:1276133
К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного
?) 2, 3, 4
?) 1, 2, 4
?) 2, 3
?) 1, 4
Вопрос id:1276135
Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от
?) давления окружающей среды
?) концентрации примеси
?) влажности окружающей среды
?) температуры окружающей среды
Вопрос id:1276136
Концентрация основных носителей в полупроводнике в основном определяется
?) влажностью окружающей среды
?) температурой окружающей среды
?) концентрацией примеси
?) давлением окружающей среды
Вопрос id:1276137
Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет
?) 1-5%
?) 80-90%
?) 10-20%
?) 50-70%
Вопрос id:1276138
КПД солнечных элементов составляет
?) 50%
?) 5%
?) 80%
?) 20%
Вопрос id:1276139
МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного
?) 1, 2
?) 3, 4
?) 1, 2, 4
?) 1, 3, 4
Вопрос id:1276140
На практике тиристор обычно включают током управления
?) переменным с большой частотой
?) импульсным
?) постоянным
?) переменным с малой частотой
Вопрос id:1276141
На рисунке изображен
?) тиристор
?) варикап
?) стабилитрон
?) диод
Вопрос id:1276142
На рисунке изображен
?) варикап
?) тиристор
?) диод Шоттки
?) стабилитрон
Вопрос id:1276143
На рисунке изображен
?) тиристор
?) туннельный диод
?) варикап
?) стабилитрон
Вопрос id:1276144
На рисунке изображен
?) варикап
?) стабилитрон
?) туннельный диод
?) диод Шоттки
Вопрос id:1276145
На рисунке изображен
?) туннельный диод
?) стабилитрон
?) тиристор
?) варикап
Вопрос id:1276146
На рисунке изображен МДП-транзистор
?) со встроенным каналом p-типа
?) со встроенным каналом n-типа
?) с индуцированным каналом p-типа
?) с индуцированным каналом n-типа
Вопрос id:1276147
На рисунке изображен МДП-транзистор
?) со встроенным каналом p-типа
?) с индуцированным каналом n-типа
?) со встроенным каналом n-типа
?) с индуцированным каналом p-типа
Вопрос id:1276150
На рисунке изображен:
?) диод Шоттки
?) туннельный диод
?) тиристор
?) варикап
Вопрос id:1276151
На рисунке изображена схема включения транзистора
?) с общей базой
?) с общим коллектором
?) с общим эмиттером
?) инверсного
Вопрос id:1276152
На рисунке изображена схема включения транзистора
?) с общей базой
?) с общим коллектором
?) с общим эмиттером
?) инверсного
Copyright testserver.pro 2013-2024 - AppleWebKit