Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.

Список вопросов базы знаний

Электротехника и электроника

Вопрос id:1278992
Канал транзистора - это
?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
?) контакт, через который носители заряда входят в канал
?) контакт, через который носители заряда вытекают
?) общий электрод от контактов областей
Вопрос id:1278993
Коллектор - это
?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
Вопрос id:1278994
Концентрация основных носителей в полупроводнике
?) практически не зависит от температуры
?) практически не зависит от концентрации примеси
?) зависит от температуры
?) определяется концентрацией примеси
Вопрос id:1278995
Лавинный пробой имеет место в (при)
?) отрицательном дифференциальном сопротивлении
?) р-n-переходах с высокоомной базой
?) р-n-переходах с низкоомной базой
?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
Вопрос id:1278996
Лазер представляет собой
?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности
?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод
?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала
?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором
Вопрос id:1278997
Максимальное обратное напряжение на переходах интегральных схем - это
?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС
?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Вопрос id:1278998
Малые интегральные схемы содержат до ___ на кристалле
?) 1000 элементов
?) 1 000 000 элементов
?) 10 000 элементов
?) 100 элементов и компонентов
Вопрос id:1278999
МДП-транзисторы имеют сопротивление
?) от 10 Ом
?) от 10 до 10Ом
?) до 10 Ом
?) от 10 до 10Ом
Вопрос id:1279000
Минимальное прямое напряжение на переходах интегральных схем - это
?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС
?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
Вопрос id:1279001
Многоэлементные фотоприемники - фотоприемники
?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход
?) предназначенные для восприятия световых образов
?) с высокой разрешающей способностью
?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области
Вопрос id:1279002
Молекулярные и ионные пленки, шунтирующие р-n-переход, являются причиной
?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе
?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе
?) лавинного пробоя
?) туннельного пробоя
Вопрос id:1279003
На транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, входное сопротивление, сравнительно
?) меньше, чем в схеме с ОК
?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК
?) меньше, чем в схеме с ОБ
?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ
Вопрос id:1279004
Напряжение логического нуля интегральных схем - это
?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики
?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики
Вопрос id:1279006
Напряжение отпускания интегральных схем - это
?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И
?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Вопрос id:1279007
Напряжение смещения интегральных схем - это значение напряжения постоянного тока на входе ис, при котором
?) входное напряжение равно заданному
?) входное напряжение равно нулю
?) выходное напряжение равно нулю
?) выходное напряжение равно заданному
Вопрос id:1279008
Напряжение срабатывания интегральных схем - это
?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС
?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Вопрос id:1279009
Нормальным режим работы транзистора называют, когда
?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном
?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора
?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном
Вопрос id:1279010
Обедненный слой в приграничных областях слоя р и слоя n возникает в следствие диффузии
?) дырок из слоя n в слой р
?) электронов из слоя n в слой р
?) дырок из слоя р в слой n
?) электронов из слоя р в слой n
Вопрос id:1279011
Обедненный слой имеет
?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника
?) большое удельное сопротивление
?) малое удельное сопротивление
?) большее количество примесей
Вопрос id:1279012
Омическим называют контакт
?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством
?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством
?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством
?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством
Вопрос id:1279013
Оптопара с открытым оптическим каналом
?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
Вопрос id:1279014
Оптопара с управляемым оптическим каналом
?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
Вопрос id:1279015
Оптопарой называют
?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически
?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
Вопрос id:1279016
Оптоэлектронные датчики - это
?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики
?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом
?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации
Вопрос id:1279017
Основная особенность полупроводников - это
?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры
?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры
?) независимость удельной электрической проводимости от температуры
?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры
Вопрос id:1279018
Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие
?) крутизна стокозатворной характеристики
?) коэффициент усиления
?) барьерная емкость р-n перехода
?) внутреннее дифференциальное сопротивление
Вопрос id:1279019
Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
?) на основе толстопленочной технологии
?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры
?) на основе тонкопленочной технологии
?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки
Вопрос id:1279020
По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
?) фотоэлектрические
?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
?) тепловые
?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля
Вопрос id:1279021
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы
?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов
?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем
?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током
?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
Вопрос id:1279022
Полевые транзисторы могут работать при температурах
?) от 100 С до 400 С
?) до 200 С
?) близких к абсолютному нулю
?) от 200 С до 300 С
Вопрос id:1279023
Полевые транзисторы предназначены для
?) импульсных переключающих устройств
?) усиления на высоких и сверх высоких частотах
?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний
?) усилительных устройств, для малых переменных токов
Вопрос id:1279024
Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с
?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами
?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами
?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами
Вопрос id:1279025
Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем - это
?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики
?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики
Вопрос id:1279026
Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем - это
?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики
?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики
Вопрос id:1279027
Представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры, ___ интегральные схемы
?) большие
?) средние
?) малые
?) сверхбольшие
Вопрос id:1279028
При высоких частотах сигнала в транзисторе
?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока
?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами
?) канал образуется под воздействием электрического поля
?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения
Вопрос id:1279029
При отсутствии сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся в
?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания
?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания
?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания
?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания
Вопрос id:1279030
При прямом включении в p-n переходе
?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U
?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U
?) дрейфовый поток уменьшается
?) диффузный увеличится
Вопрос id:1279031
При тепловом пробое
?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения
?) разрушается кристаллическая структура полупроводника
?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность
?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность
Вопрос id:1279032
При электрическом пробое р-n переход
?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность
?) не разрушается и сохраняет работоспособность
?) разрушается
?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения
Вопрос id:1279033
Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя при
?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока
?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока
Вопрос id:1279034
Пробоем перехода называют резкое
?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
Вопрос id:1279035
Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от
?) наличия примесей
?) температуры
?) состава атмосферы
?) атмосферного давления
Вопрос id:1279036
Простой светопровод выполняется в виде
?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
Вопрос id:1279037
Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется
?) рекомбинацией
?) генерацией
?) регенерацией
?) ионизацией
Вопрос id:1279038
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
?) регенерацией
?) генерацией
?) ионизацией
?) рекомбинацией
Вопрос id:1279039
Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда
?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном
?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном
?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении
Вопрос id:1279040
Режимом отсечки называют режим работы транзистора, когда
?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном
?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора
?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном
Вопрос id:1279041
Режиму обеднения полевого транзистора соответствует
?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается
?) положительное напряжение
?) отрицательное напряжение
?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала
Вопрос id:1279042
Режиму обогащения полевого транзистора соответствуют
?) положительное напряжение
?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается
?) отрицательное напряжение
?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала
Copyright testserver.pro 2013-2024