Список вопросов базы знаний

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) 1 000 000 элементов

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 Ом

?) до 10 Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) лавинного пробоя

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) большое удельное сопротивление

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) коэффициент усиления

?) барьерная емкость р-n перехода

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) тепловые

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) сверхбольшие

?) средние

?) малые

?) большие

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) состава атмосферы

?) температуры

?) наличия примесей

?) атмосферного давления

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) регенерацией

?) ионизацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) положительное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение