Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от температуры

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 1000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) 1 000 000 элементов

?) до 10 Ом

?) от 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 до 10Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) большее количество примесей

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) коэффициент усиления

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) барьерная емкость р-n перехода

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) тепловые

?) фотоэлектрические

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) близких к абсолютному нулю

?) от 100 С до 400 С

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) средние

?) большие

?) сверхбольшие

?) малые

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) наличия примесей

?) температуры

?) атмосферного давления

?) состава атмосферы

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение