Список вопросов базы знаний

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) практически не зависит от температуры

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 Ом

?) до 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) входное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) дырок из слоя n в слой р

?) большее количество примесей

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) коэффициент усиления

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе тонкопленочной технологии

?) на основе толстопленочной технологии

?) тепловые

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фотоэлектрические

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) до 200 С

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 100 С до 400 С

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) большие

?) сверхбольшие

?) средние

?) малые

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) диффузный увеличится

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) атмосферного давления

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) положительное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается