Список вопросов базы знаний

?) возможность работы на на низких частотах

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) лавинный

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) интегральную микросхему

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к n-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) имеющие два силовых электрода

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) с малой площадью активной поверхности

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) стоком

?) затвором

?) базой

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) концентрацию примесей

?) диффузную емкость

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) вебер-амперной

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают