Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) полевые транзисторы

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) лавинный

?) тепловой

?) смешанный

?) тоннельный

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по мощности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) активный четырехполюсник

?) интегральную микросхему

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к n-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) имеющие два силовых электрода

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) качестве активного элемента

?) слаботочных импульсных устройствах

?) усилительных схемах

?) схемах генерирования

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) стоком

?) истоком

?) затвором

?) базой

?) при заданном напряжении

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) диффузную емкость

?) размеры полупроводника

?) напряжение источников питания

?) концентрацию примесей

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) вебер-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) вольт-амперной

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) при нормальных условиях электронов нет

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами