Список вопросов базы знаний

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) полевые транзисторы

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) лавинный

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) нет усиления по току

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) интегральную микросхему

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к p-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к n области

?) «-» - к p-области

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) имеющие два силовых электрода

?) работающие как широкополосные усилители

?) слаботочных импульсных устройствах

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) с высоким быстродействием

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) затвором

?) стоком

?) базой

?) истоком

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) вольт-амперной

?) внешней

?) вебер-амперной

?) кулон-вольтной

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают