Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) полевые транзисторы

?) тоннельный

?) тепловой

?) смешанный

?) лавинный

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) интегральную микросхему

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) имеющие два силовых электрода

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) слаботочных импульсных устройствах

?) усилительных схемах

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) базой

?) стоком

?) истоком

?) затвором

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) диффузную емкость

?) размеры полупроводника

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) вебер-амперной

?) внешней

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электроны присутствуют всегда

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал