Вход | Регистрация
Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.

Список вопросов базы знаний

Электротехника и электроника

Вопрос id:1276153
На рисунке изображена схема включения транзистора
?) с общим эмиттером
?) с общим коллектором
?) с общей базой
?) инверсного
Вопрос id:1276154
На рисунке изображена схема включения транзистора с общим
?) стоком
?) истоком
?) затвором
?) стоком и истоком
Вопрос id:1276155
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального
?) транзистора
?) резистора
?) диода для обратного включения
?) диода для прямого включения
Вопрос id:1276156
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального
?) диода для обратного включения
?) диода для прямого включения
?) транзистора
?) резистора
Вопрос id:1276157
На рисунке изображены
?) туннельные диоды
?) варикапы
?) диоды Шоттки
?) симисторы
Вопрос id:1276158
На схеме изображена вольт-амперная характеристика
?) диода Шоттки
?) стабилитрона
?) обращенного диода
?) туннельного диода
Вопрос id:1276159
Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определя­ют
?) диф­ференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока
?) диффузной емкостью
?) барьерной емкостью
?) диффе­ренциальным сопротивлением коллекторного перехода
Вопрос id:1276160
Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрица­тельным дифференциальным сопротивлением является характерной особен­ностью
?) стабистора
?) диода Шоттки
?) туннельного диода
?) варикапа
Вопрос id:1276161
Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ316; 2) АЛСК31; 3) АЛС331; 4) А2619 - из перечисленного
?) 1, 2
?) 3, 4
?) 2, 4
?) 1, 3
Вопрос id:1276162
Общая емкость p-n-перехода равна
?) произведению барьерной и диффузной емкостей
?) сумме барьерной и диффузной емкостей
?) барьерной емкости
?) диффузной емкости
Вопрос id:1276163
Оптоэлектронный датчик:
?) источник когерентного оптического излучения
?) прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель и фотоприёмник
?) электрически управляемый прибор для систем визуального отображения информации
?) прибор, преобразующий внешнее физическое воздействие в электрический сигнал
Вопрос id:1276165
Оптрон:
?) фоторезистор-фотодиод
?) светодиод - фототиристор
?) фотодиод- фототиристор
?) фотодиод-фототранзистор
Вопрос id:1276166
Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
?) 1, 2
?) 2, 3
?) 3, 4
?) 1, 4
Вопрос id:1276167
Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
?) 3, 4
?) 2, 3
?) 1, 2
?) 1, 4
Вопрос id:1276168
Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного
?) 1, 3, 4
?) 1, 2, 5
?) 2, 4, 5
?) 2, 3, 5
Вопрос id:1276169
Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного
?) 1, 2
?) 2, 4
?) 3, 4
?) 1, 3
Вопрос id:1276171
По конструктивно-технологическим признакам интег­ральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного
?) 1, 2, 5
?) 1, 3, 4
?) 2, 3, 5
?) 2, 3, 4
Вопрос id:1276172
По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного
?) 1, 3
?) 3, 4
?) 1, 2
?) 2, 4
Вопрос id:1276173
Полевой транзистор:
?) активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода
?) полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода
?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом
Вопрос id:1276176
Полупроводник n-типа:
?) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются дырки
?) полупроводник с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода
?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы
?) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются электроны
Вопрос id:1276178
Полупроводниковый диод, напряже­ние на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется
?) стабистором
?) варикапом
?) туннельным диодом
?) диодом Шоттки
Вопрос id:1276179
Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо­го управляется напряжением, - это
?) стабистор
?) варикап
?) стабилитрон
?) диод Шоттки
Вопрос id:1276180
При инверсном режиме работы транзистора
?) коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
?) коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный - в прямом
?) коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
Вопрос id:1276181
При прямом включении p-n-перехода:
?) потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи уменьшатся
?) потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, дрейфовый и диффузный токи увеличат­ся
?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, дрейфовый ток уменьшается, а диффузный увеличивается
?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи увеличатся
Вопрос id:1276182
Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного
?) 3, 4
?) 1, 4
?) 1, 2
?) 2, 3
Вопрос id:1276183
Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется
?) микропроцессором
?) контроллером
?) арифметико-логическим устройством
?) функциональным преобразователем ин­формации
Вопрос id:1276184
Работа, совершаемая силами поля по переносу еди­ничного положительного заряда, называется
?) инжекция
?) пробой
?) переход
?) потенциал
Вопрос id:1276185
Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют
?) ключевым
?) режимом насыщения
?) режимом отсечки
?) активным
Вопрос id:1276186
Режим, соответствующий второму квадранту характе­ристик транзистора (uкб<0), называют
?) ключевым
?) активным
?) режимом отсечки
?) режимом насыщения
Вопрос id:1276187
Режим, соответствующий первому квадранту характе­ристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют
?) режимом отсечки
?) ключевым
?) активным
?) режимом насыщения
Вопрос id:1276188
Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного
?) 2, 4
?) 3, 4
?) 1, 2
?) 1, 3
Вопрос id:1276189
Симистор подобен
?) паре тиристоров, вклю­ченных встречно-параллельно
?) паре диодов, вклю­ченных встречно-параллельно
?) тиристору, вклю­ченному в обратном направлении
?) паре тиристоров, вклю­ченных параллельно
Вопрос id:1276190
Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию основных носителей заряда, называют
?) базой
?) эмиттером
?) коллектором
?) поверхностным слоем
Вопрос id:1276191
Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором мо­жет сохраняться
?) до 1 года
?) более 10 лет
?) от 1 до 5 лет
?) до 1 месяца
Вопрос id:1276192
Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер
?) соединен с коллектором
?) является общим электродом для источников напряжения
?) заземлен
?) соединен с базой
Вопрос id:1276193
Тиристор:
?) активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три или более р-п переходов
?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом
?) полупроводниковый прибор с двумя р-п переходами, имеющий три вывода
Вопрос id:1276194
Тиристоры, которые могут быть выключены с помощью тока управ­ления, называются
?) незапираемыми
?) запираемыми
?) несимметричными
?) симметричными
Вопрос id:1276196
Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется
?) пробоем
?) генерацией
?) инжекцией
?) фотоэффектом
Вопрос id:1276197
Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного
?) 1, 2, 3
?) 3, 4
?) 1, 2
?) 1, 2, 4
Вопрос id:1276198
Фотодиод работает в режиме фотогенератора при
?) u<0, i>0
?) u<0, i<0
?) u>0, i<0
?) u>0, i>0
Вопрос id:1276199
Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя при
?) u>0, i<0
?) u<0, i>0
?) u<0, i<0
?) u>0, i>0
Вопрос id:1276200
Фотодиоды описываются характеристиками
?) вольт-амперными
?) люмено-амперной
?) люкс-амперными
?) переходными
Вопрос id:1276201
Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются
?) полупроводниковыми
?) фотонными
?) емкостными
?) тепловыми
Вопрос id:1276202
Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются
?) емкостными
?) полупроводниковыми
?) фотонными
?) тепловыми
Вопрос id:1276203
Фототранзисторы описываются характеристиками
?) люмено-амперной
?) переходными
?) люкс-амперными
?) вольт-амперными
Вопрос id:1276204
Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется
?) стокозатворной
?) стокоистоковой
?) затворностоковой
?) истокостоковой
Вопрос id:1276205
Характерная особенность диода Шотки:
?) предназначен для стабилизации малых напряжений
?) предназначен для работы в качестве конденсатора
?) наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением
?) используется выпрямляющий контакт металл-полупроводник
Вопрос id:1276206
Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое
?) уменьшение дифференциального сопротивления перехода
?) увеличение дифференциального сопротивления перехода
?) уменьшение барьерной емкости перехода
?) увеличение барьерной емкости перехода
Вопрос id:1276207
Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
?) СБИС
?) БИС
?) СИС
?) МИС
Вопрос id:1276209
Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее
?) 10000
?) 100
?) 100000
?) 1000
Copyright testserver.pro 2013-2024 - AppleWebKit