Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.
Список вопросов базы знанийЭлектротехника и электроникаВопрос id:1276153 На рисунке изображена схема включения транзистора  ?) инверсного ?) с общей базой ?) с общим эмиттером ?) с общим коллектором Вопрос id:1276154 На рисунке изображена схема включения транзистора с общим  ?) стоком ?) истоком ?) стоком и истоком ?) затвором Вопрос id:1276155 На рисунке изображена эквивалентная схема идеального  ?) резистора ?) диода для обратного включения ?) диода для прямого включения ?) транзистора Вопрос id:1276156 На рисунке изображена эквивалентная схема идеального  ?) диода для обратного включения ?) диода для прямого включения ?) резистора ?) транзистора Вопрос id:1276157 На рисунке изображены  ?) диоды Шоттки ?) туннельные диоды ?) симисторы ?) варикапы Вопрос id:1276158 На схеме изображена вольт-амперная характеристика  ?) туннельного диода ?) обращенного диода ?) диода Шоттки ?) стабилитрона Вопрос id:1276159 Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определяют ?) диффузной емкостью ?) дифференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока ?) дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода ?) барьерной емкостью Вопрос id:1276160 Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением является характерной особенностью ?) диода Шоттки ?) стабистора ?) туннельного диода ?) варикапа Вопрос id:1276161 Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ316; 2) АЛСК31; 3) АЛС331; 4) А2619 - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 2, 4 ?) 3, 4 ?) 1, 3 Вопрос id:1276162 Общая емкость p-n-перехода равна ?) диффузной емкости ?) барьерной емкости ?) произведению барьерной и диффузной емкостей ?) сумме барьерной и диффузной емкостей Вопрос id:1276163 Оптоэлектронный датчик: ?) прибор, преобразующий внешнее физическое воздействие в электрический сигнал ?) источник когерентного оптического излучения ?) электрически управляемый прибор для систем визуального отображения информации ?) прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель и фотоприёмник Вопрос id:1276165 Оптрон: ?) фотодиод- фототиристор ?) фоторезистор-фотодиод ?) фотодиод-фототранзистор ?) светодиод - фототиристор Вопрос id:1276166 Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного ?) 3, 4 ?) 1, 2 ?) 1, 4 ?) 2, 3 Вопрос id:1276167 Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 1, 4 ?) 3, 4 ?) 2, 3 Вопрос id:1276168 Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного ?) 1, 2, 5 ?) 2, 4, 5 ?) 1, 3, 4 ?) 2, 3, 5 Вопрос id:1276169 Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 1, 3 ?) 2, 4 ?) 3, 4 Вопрос id:1276171 По конструктивно-технологическим признакам интегральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного ?) 2, 3, 4 ?) 1, 2, 5 ?) 2, 3, 5 ?) 1, 3, 4 Вопрос id:1276172 По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 1, 3 ?) 3, 4 ?) 2, 4 Вопрос id:1276173 Полевой транзистор: ?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода ?) полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода ?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом ?) активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля Вопрос id:1276176 Полупроводник n-типа: ?) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются электроны ?) полупроводник с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода ?) полупроводник, основным носителем заряда в котором являются дырки ?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы Вопрос id:1276178 Полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется ?) диодом Шоттки ?) стабистором ?) туннельным диодом ?) варикапом Вопрос id:1276179 Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением, - это ?) диод Шоттки ?) стабистор ?) варикап ?) стабилитрон Вопрос id:1276180 При инверсном режиме работы транзистора ?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный - в прямом ?) коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении ?) коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении ?) коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном Вопрос id:1276181 При прямом включении p-n-перехода: ?) потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, дрейфовый и диффузный токи увеличатся ?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, дрейфовый ток уменьшается, а диффузный увеличивается ?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи увеличатся ?) потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи уменьшатся Вопрос id:1276182 Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного ?) 1, 4 ?) 1, 2 ?) 2, 3 ?) 3, 4 Вопрос id:1276183 Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется ?) функциональным преобразователем информации ?) контроллером ?) микропроцессором ?) арифметико-логическим устройством Вопрос id:1276184 Работа, совершаемая силами поля по переносу единичного положительного заряда, называется ?) переход ?) пробой ?) инжекция ?) потенциал Вопрос id:1276185 Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют ?) активным ?) режимом отсечки ?) режимом насыщения ?) ключевым Вопрос id:1276186 Режим, соответствующий второму квадранту характеристик транзистора (uкб<0), называют ?) активным ?) ключевым ?) режимом отсечки ?) режимом насыщения Вопрос id:1276187 Режим, соответствующий первому квадранту характеристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют ?) активным ?) режимом насыщения ?) режимом отсечки ?) ключевым Вопрос id:1276188 Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 3, 4 ?) 2, 4 ?) 1, 3 Вопрос id:1276189 Симистор подобен ?) паре тиристоров, включенных параллельно ?) тиристору, включенному в обратном направлении ?) паре диодов, включенных встречно-параллельно ?) паре тиристоров, включенных встречно-параллельно Вопрос id:1276190 Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию основных носителей заряда, называют ?) базой ?) поверхностным слоем ?) коллектором ?) эмиттером Вопрос id:1276191 Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором может сохраняться ?) более 10 лет ?) до 1 года ?) от 1 до 5 лет ?) до 1 месяца Вопрос id:1276192 Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер ?) соединен с базой ?) заземлен ?) является общим электродом для источников напряжения ?) соединен с коллектором Вопрос id:1276193 Тиристор: ?) полупроводниковый прибор с двумя р-п переходами, имеющий три вывода ?) активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля ?) полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три или более р-п переходов ?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом Вопрос id:1276194 Тиристоры, которые могут быть выключены с помощью тока управления, называются ?) симметричными ?) запираемыми ?) незапираемыми ?) несимметричными Вопрос id:1276196 Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется ?) пробоем ?) фотоэффектом ?) инжекцией ?) генерацией Вопрос id:1276197 Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного ?) 1, 2, 3 ?) 1, 2 ?) 3, 4 ?) 1, 2, 4 Вопрос id:1276198 Фотодиод работает в режиме фотогенератора при ?) u<0, i<0 ?) u>0, i<0 ?) u<0, i>0 ?) u>0, i>0 Вопрос id:1276199 Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя при ?) u<0, i<0 ?) u>0, i>0 ?) u>0, i<0 ?) u<0, i>0 Вопрос id:1276200 Фотодиоды описываются характеристиками ?) люкс-амперными ?) люмено-амперной ?) переходными ?) вольт-амперными Вопрос id:1276201 Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются ?) емкостными ?) фотонными ?) тепловыми ?) полупроводниковыми Вопрос id:1276202 Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются ?) тепловыми ?) емкостными ?) фотонными ?) полупроводниковыми Вопрос id:1276203 Фототранзисторы описываются характеристиками ?) переходными ?) люкс-амперными ?) люмено-амперной ?) вольт-амперными Вопрос id:1276204 Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется  ?) стокозатворной ?) затворностоковой ?) истокостоковой ?) стокоистоковой Вопрос id:1276205 Характерная особенность диода Шотки: ?) предназначен для работы в качестве конденсатора ?) используется выпрямляющий контакт металл-полупроводник ?) предназначен для стабилизации малых напряжений ?) наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением Вопрос id:1276206 Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое ?) увеличение дифференциального сопротивления перехода ?) уменьшение дифференциального сопротивления перехода ?) увеличение барьерной емкости перехода ?) уменьшение барьерной емкости перехода Вопрос id:1276207 Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является ?) МИС ?) БИС ?) СИС ?) СБИС Вопрос id:1276209 Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее ?) 10000 ?) 100 ?) 1000 ?) 100000 |
Copyright testserver.pro 2013-2024