Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.
Список вопросов базы знанийЭлектротехника, электроника и схемотехникаВопрос id:584316 Режиму обогащения полевого транзистора соответствуют ?) чем больше модуль  , тем больше проводимость канала?) отрицательное напряжение  ?) при увеличении  концентрация дырок в канале уменьшается?) положительное напряжение  Вопрос id:584317 Светодиоды – это излучающие полупроводниковые приборы, имеющие ?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения ?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением ?) два p-n-перехода ?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект Вопрос id:584318 Свободными называются ?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях ?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют ?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях ?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет Вопрос id:584319 Связи между компонентами оптопары могут быть ?) прямыми или обратными ?) нейтральными ?) отрицательными ?) положительными Вопрос id:584320 Связи между компонентами оптопары могут быть ?) положительными ?) прямыми или обратными ?) электрическими или оптическими ?) нейтральными Вопрос id:584321 Среднее время пролета – это время ?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор ?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер ?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации ?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу Вопрос id:584322 Стабилитрон – это полупроводниковый диод ?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами ?) обладающий усилительными свойствами ?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника ?) работающий в режиме электрического пробоя Вопрос id:584323 Стабистор – это ?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением ?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя ?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока ?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник Вопрос id:584324 Стабистором называется полупроводниковый диод ?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока ?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя ?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени ?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока Вопрос id:584325 Статические входные характеристики для схемы с ОБ – это ?)  при UКБ=const?)  при UКЭ=const?)  при IБ=const?)  при IЭ=constВопрос id:584326 Статические входные характеристики для схемы с ОЭ – это ?)  при IЭ=const?)  при UКБ=const?)  при UКЭ=const?)  при IБ=constВопрос id:584327 Статические выходные характеристики для схемы с ОБ – это ?)  при IЭ=const?)  при IБ=const?)  при UКБ=const?)  при UКЭ=constВопрос id:584329 Стоком называют ?) общий электрод от контактов областей ?) контакт, через который носители заряда входят в канал ?) контакт, через который носители заряда вытекают ?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами Вопрос id:584330 Существует три разновидности оптического канала между излучателем и фотоприемником ?) открытый оптический канал ?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом ?) простой светопровод ?) управляемый оптический канал Вопрос id:584331 Существуют типы полупроводниковых индикаторов ?) светодиодные ?) люминесцентные ?) одно- и многоразрядные ?) цифровые и буквенно-цифровые Вопрос id:584332 Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общей базой, если ?) коллектор является общим электродом для источников напряжения ?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения ?) база является общим электродом для источников напряжения ?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением Вопрос id:584333 Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим коллектором, если ?) база является общим электродом для источников напряжения ?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением ?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения ?) коллектор является общим электродом для источников напряжения Вопрос id:584334 Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если ?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением ?) коллектор является общим электродом для источников напряжения ?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения ?) база является общим электродом для источников напряжения Вопрос id:584335 Тепловой генерацией определяется ?) напряженность поля р-n перехода ?) обратный ток ?) концентрация основных носителей заряда ?) концентрация неосновных носителей заряда Вопрос id:584336 Тепловой пробой имеет место при (в) ?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле ?) р-n-переходах с высокоомной базой ?) р-n-переходах с низкоомной базой ?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости Вопрос id:584337 Тепловые фотоприёмники ?) используют внешний или внутренний фотоэффект ?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время ?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы ?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы – включен, выключен, – имеющие три или более p-n переходов Вопрос id:584338 Тепловым называют ток, образованный ?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода ?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными ?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода ?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными Вопрос id:584339 Термогенерация в области p-n-перехода оказывает су щественное влияние на ток потому, что ?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости ?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен ?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен ?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении Вопрос id:584340 Тиристорами называют полупроводниковые приборы ?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем ?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов ?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем ?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током Вопрос id:584341 Ток утечки на входе интегральных схем - это ?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах ?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля ?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке ?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы Вопрос id:584342 Ток утечки на выходе интегральных схем - это ?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля ?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах ?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке ?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы Вопрос id:584343 Тоннельным диодом называется полупроводниковый диод ?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении ?) предназначенный для работы в качестве конденсатора ?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник» ?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении Вопрос id:584344 Точечные диоды используют на ?) низких и средних частотах ?) средних и высоких частотах ?) высоких и сверхвысоких частотах ?) низких частотах Вопрос id:584345 Точечные диоды можно использовать для выпрямления ___ переменных токов ?) больших высокочастотных ?) малых ?) больших ?) малых низкочастотных Вопрос id:584346 Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от ?) 4 до 240 K ?) 140 до 640 K ?) 4 до 640 K ?) 140 до 340 K Вопрос id:584347 Туннельные диоды обычно работают на участке ___ дифференциальным сопротивлением ?) ВАХ с отрицательным ?) ФЧХ с положительным ?) ВАХ с положительным ?) ФЧХ с отрицательным Вопрос id:584348 Туннельный пробой имеет место в (при) ?) р-n-переходах с низкоомной базой ?) отрицательном дифференциальном сопротивлении ?) р-n-переходах с высокоомной базой ?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости Вопрос id:584349 Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор ?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади ?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами ?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси ?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника Вопрос id:584350 Усиление мощности входного сигнала и уменьшение тока  при работе транзистора достигается путем?) смещение перехода в прямом направлении ?) вплавления примесей ?) включения инверсного режима работы транзистора ?) уменьшения толщины базы Вопрос id:584351 Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции ?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда ?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда ?) основных носителей заряда ?) и экстракции неосновных носителей заряда Вопрос id:584352 Фотодиоды – это полупроводниковые фотоэлектрические приборы, имеющие ?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект ?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением ?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения ?) два p-n-перехода Вопрос id:584353 Фотоприемники – это ?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы ?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом ?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации ?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики Вопрос id:584354 Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, имеющие ?) два p-n-перехода ?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта ?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением ?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения Вопрос id:584355 Фототранзистор – это полупроводниковый фотоэлектрический прибор, имеющий ?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения ?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект ?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением ?) два p-n-перехода Вопрос id:584356 Фотоэлектрические фотоприёмники ?) используют внешний или внутренний фотоэффект ?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время ?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы – включен, выключен, – имеющие три или более p-n переходов ?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы Вопрос id:584357 Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что ?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода ?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между UВХ и UВЫХ ?) его нельзя выключить с помощью тока управления ?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную Вопрос id:584358 Цифровые интегральные схемы предназначены для ?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции ?) для задержки сигналов ?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций ?) программирования и хранения цифровых массивов Вопрос id:584359 Чувствительность интегральных схем - это ?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям ?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям ?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям ?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям Вопрос id:584360 Шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как ?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного ?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного ?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного ?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного Вопрос id:584361 Экстракцией называется ?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода ?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными ?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными ?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными Вопрос id:584362 Электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, предназначенный для усиления мощности электромагнитных колебаний, называют … ?) полевым транзистором ?) выпрямтельным диодом ?) биполярным транзистором ?) тиристором Вопрос id:584363 Эмиттер – это ?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей ?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей ?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей ?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции Вопрос id:584364 Эмиттером называется ?) область, из которой инжектируются носители заряда ?) электронно-дырочный переход ?) область, в которую инжектируются носители заряда ?) контакт металл – полупроводник Вопрос id:584365 В какое состояние Qt+1 установится D триггера при S = 0, R = 1 Вопрос id:584366 В какое состояние Qt+1 установится D триггера при S = 1, R = 0. |
Copyright testserver.pro 2013-2024