Список вопросов базы знаний

?) возможность работы на на низких частотах

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) лавинный

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по мощности

?) нет усиления по току

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) активный четырехполюсник

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) интегральную микросхему

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «+» - к n-области

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к n области

?) «-» - к p-области

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) 350 В

?) 700 В

?) 2 В

?) 1,4 В

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) име ющие два силовых электрода

?) работающие как широкополосные усилители

?) усилительных схемах

?) схемах генерирования

?) качестве активного элемента

?) слаботочных импульсных устройствах

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) базой

?) затвором

?) стоком

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) напряжение источников питания

?) концентрацию примесей

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) процесс рекомбинации замедлен

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) внешней

?) кулон-вольтной

?) вольт-амперной

?) вебер-амперной

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электроны присутствуют всегда

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают