Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) лавинный

?) смешанный

?) тоннельный

?) тепловой

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) интегральную микросхему

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к p-области

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 2 В

?) 350 В

?) 1,4 В

?) 700 В

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) работающие как широкополосные усилители

?) име ющие два силовых электрода

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) стоком

?) базой

?) истоком

?) затвором

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) размеры полупроводника

?) напряжение источников питания

?) концентрацию примесей

?) диффузную емкость

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) основных носителей против поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) кулон-вольтной

?) вебер-амперной

?) вольт-амперной

?) внешней

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей