Список вопросов базы знаний

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) тоннельный

?) лавинный

?) смешанный

?) тепловой

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) активный четырехполюсник

?) интегральную микросхему

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» - к p-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 700 В

?) 350 В

?) 2 В

?) 1,4 В

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) име ющие два силовых электрода

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) схемах генерирования

?) качестве активного элемента

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) истоком

?) базой

?) затвором

?) стоком

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) вебер-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) вольт-амперной

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) при нормальных условиях электронов нет

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают