Список вопросов базы знаний

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) полевые транзисторы

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) лавинный

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) интегральную микросхему

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) активный четырехполюсник

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 2 В

?) 700 В

?) 350 В

?) 1,4 В

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) име ющие два силовых электрода

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) слаботочных импульсных устройствах

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) истоком

?) стоком

?) базой

?) затвором

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) при заданном напряжении

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) диффузную емкость

?) размеры полупроводника

?) напряжение источников питания

?) концентрацию примесей

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) основных носителей против поля р

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) вебер-амперной

?) кулон-вольтной

?) вольт-амперной

?) внешней

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) электроны присутствуют всегда

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей