Список вопросов базы знаний

?) возможность работы на на низких частотах

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) лавинный

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) нет усиления по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) интегральную микросхему

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 700 В

?) 1,4 В

?) 350 В

?) 2 В

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) име ющие два силовых электрода

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) качестве активного элемента

?) слаботочных импульсных устройствах

?) схемах генерирования

?) усилительных схемах

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) базой

?) затвором

?) истоком

?) стоком

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) размеры полупроводника

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) диффузную емкость

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) процесс рекомбинации замедлен

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) внешней

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) вебер-амперной

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей