Список вопросов базы знаний

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) полевые транзисторы

?) тоннельный

?) тепловой

?) лавинный

?) смешанный

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) нет усиления по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) интегральную микросхему

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 700 В

?) 2 В

?) 350 В

?) 1,4 В

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) име ющие два силовых электрода

?) качестве активного элемента

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) схемах генерирования

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) с высоким быстродействием

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) стоком

?) затвором

?) базой

?) истоком

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) диффузную емкость

?) размеры полупроводника

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) внешней

?) вебер-амперной

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) при нормальных условиях электронов нет

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают