Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 10 000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) 1000 элементов

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) до 10² Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя n в слой р

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) заземлением

?) анодом

?) колектором

?) катодом

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) тепловые

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) до 200 С

?) от 200 С до 300 С

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) Варикапом

?) выпрямительным точечным диодом

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) сверхбольшие

?) средние

?) большие

?) малые

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) атмосферного давления

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) генерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение