Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) 100 элементов и компонентов

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) до 10² Ом

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) выходное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) большее количество примесей

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большое удельное сопротивление

?) малое удельное сопротивление

?) катодом

?) заземлением

?) колектором

?) анодом

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) коэффициент усиления

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе тонкопленочной технологии

?) на основе толстопленочной технологии

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фотоэлектрические

?) тепловые

?) до 200 С

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 100 С до 400 С

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) выпрямительным точечным диодом

?) Варикапом

?) стабилитроном

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) малые

?) средние

?) сверхбольшие

?) большие

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) температуры

?) атмосферного давления

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) регенерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) отрицательное напряжение

?) положительное напряжение