Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 100 элементов и компонентов

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) до 10² Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) электронов из слоя n в слой р

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большее количество примесей

?) колектором

?) заземлением

?) анодом

?) катодом

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) барьерная емкость р-n перехода

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) коэффициент усиления

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) тепловые

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) Варикапом

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) выпрямительным точечным диодом

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) средние

?) большие

?) сверхбольшие

?) малые

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) состава атмосферы

?) температуры

?) наличия примесей

?) атмосферного давления

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) ионизацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение