Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 100 элементов и компонентов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) до 10² Ом

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно заданному

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) катодом

?) анодом

?) заземлением

?) колектором

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) коэффициент усиления

?) барьерная емкость р-n перехода

?) на основе тонкопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе толстопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) тепловые

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) близких к абсолютному нулю

?) от 200 С до 300 С

?) от 100 С до 400 С

?) до 200 С

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) стабилитроном

?) выпрямительным точечным диодом

?) Варикапом

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) сверхбольшие

?) малые

?) средние

?) большие

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) температуры

?) атмосферного давления

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) отрицательное напряжение

?) положительное напряжение