Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от температуры

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 100 элементов и компонентов

?) 10 000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 1000 элементов

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) до 10² Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой разрешающей способностью

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) электронов из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) дырок из слоя р в слой n

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большее количество примесей

?) колектором

?) катодом

?) анодом

?) заземлением

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) коэффициент усиления

?) барьерная емкость р-n перехода

?) на основе толстопленочной технологии

?) на основе тонкопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) фотоэлектрические

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) тепловые

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) Варикапом

?) выпрямительным точечным диодом

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) малые

?) большие

?) сверхбольшие

?) средние

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) дрейфовый поток уменьшается

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) атмосферного давления

?) состава атмосферы

?) наличия примесей

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается