Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) 10 000 элементов

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) до 10² Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой разрешающей способностью

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно нулю

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) анодом

?) катодом

?) колектором

?) заземлением

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) на основе тонкопленочной технологии

?) на основе толстопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) тепловые

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) Варикапом

?) выпрямительным точечным диодом

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) стабилитроном

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) средние

?) сверхбольшие

?) малые

?) большие

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) диффузный увеличится

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) наличия примесей

?) атмосферного давления

?) состава атмосферы

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) регенерацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) положительное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается