Список вопросов базы знаний

Зная функцию распределения f(q, р), можно решить основную задачу квантовой статистики - определить средние значения величин, характеризующих рассматриваемую систему; среднее значение любой функции - это

Зонная теория твердых тел позволила с единой точки зрения истолковать существование металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различие в их электрических свойствах ___ зон

Изучение явлений, происходящих при температурах, близких к 0 К, показало, что возможно макроскопическое квантование, т.е. квантование величин, характеризующих макроскопические тела, размеры которых в ___ раз больше атомных размеров

Импульс фонона обладает своеобразным свойством: при столкновении фононов в кристалле их импульс может дискретными порциями передаваться кристаллической решетке, он при этом

Используя уравнение ___ - основное уравнение динамики в нерелятивистской квантовой механике, - в принципе можно рассмотреть задачу о кристалле, например, найти возможные значения его энергии

Как в классической, так и в квантовой механике, отсутствуют методы точного решения динамической задачи для системы многих частиц - задача решается приближенно сведением задачи многих частиц к одноэлектронной задаче об одном электроне, движущемся в ___ внешнем поле

Квазичастицы, будучи связаны с коллективным движением многих частиц системы, сильно отличаются от обычных частиц, например

Квантовая теория электропроводности металлов, в частности, объясняет зависимость удельной проводимости от температуры

Концентрация дырок в валентной зоне описывается выражением

Красная граница фотопроводимости - максимальная длина волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается для примесных полупроводников

Люминофоры используются в (для)

Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место ___ механизм поглощения

Области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов - например, на кристалл германия n-типа накладывается индиевая “таблетка”, эта система нагревается при ___ °С в вакууме или в атмосфере инертного газа

Одним из наиболее широко распространенных полупроводниковых элементов является ___, имеющий решетку типа алмаза, в которой каждый атом связан ковалентными связями с четырьмя ближайшими соседями

Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников (или металла с полупроводником) используется для выпрямления и преобразования ___ токов

Освобожденный из ловушки электрон попадает в зону проводимости и движется по кристаллу до тех пор, пока или не будет снова захвачен ловушкой, или не рекомбинирует с ионом активатора - в последнем случае возникает квант ___ излучения

Основной энергетической характеристикой является энергетический выход люминесценции, введенный ___, - отношение энергии, излученной люминофором при полном высвечивании, к энергии, поглощенной им

Период световых колебаний составляет примерно 10^-15 с, поэтому длительность, по которой свечение можно отнести к люминесценции, больше - примерно

По ___, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами

По длительности свечения условно различают

По преданию, гроб Магомета висел в пространстве без всякой поддержки. Если над ___ кольцом поместить постоянный магнит, то он будет висеть над кольцом без видимой поддержки. В кольце магнит индуцирует незатухающие сверхпроводящие токи, магнитное поле которых отталкивает магнит

При 0 К индукция критического магнитного поля

При возникновении излучения куперовские пары (они создают сверхпроводящий ток), проходя сквозь контакт, приобретают относительно основного состояния сверхпроводника избыточную энергию, возвращаясь в основное состояние, они излучают квант электромагнитной энергии

При высоких температурах уровень ___ имеет тенденцию смещаться вниз (сплошная кривая) к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника

При запирающем напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе p-n-перехода и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика - это приводит к

При контакте металла с полупроводником р-типа запирающий слой образуется при А_м<А, так как в контактном слое полупроводника наблюдается избыток отрицательных ионов акцепторных примесей и недостаток основных носителей тока - ___ в валентной зоне

При переходе химических элементов в сверхпроводящее состояние во внешнем магнитном поле скачком изменяются

При поглощении атомом активатора фотона с энергией h электрон с примесного уровня переводится в зону проводимости, свободно перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретится с ионом активатора и не рекомбинирует с ним, перейдя вновь на примесный уровень. ___ сопровождается излучением кванта люминесцентного свечения

При появлении электрона в зоне проводимости в валентной зоне обязательно возникает

При температурах более высоких, чем критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние, в образце, помещенном во внешнее магнитное поле, как и во всяком металле индукция магнитного поля внутри будет

При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми

Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются

Примесная проводимость обусловлена примесями, а также дефектами типа избыточных атомов и механическими дефектами - наличие в полупроводнике примеси ___ его проводимость

Принцип механического отталкивания положен в основу создания электрических машин, КПД которых благодаря свойствам сверхпроводников, близок к ___%

Проводимость полупроводников всегда является возбужденной, т.е. появляется только под действием внешних факторов, а именно

Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами - дырками, называется ___ проводимостью

Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется ___ проводимостью

Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора - здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода, вследствие чего изменяется ___ коллектора

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено, в основном, движением ___ (они являются основными носителями тока), и сопровождается их “впрыскиванием” - инжекцией - в область базы

Распределение бозонов по энергиям вытекает из большого канонического распределения Гиббса при условии, что число тождественных бозонов в данном квантовом состоянии может быть любым

Распределение Ферми-Дирака обычно записывается в виде

Распределение фермионов по энергиям называется распределением Ферми-Дирака и имеет вид

Распределение фотонов по энергиям находится по формуле

Распределение электронов по различным квантовым состояниям подчиняется принципу ___, согласно которому в одном состоянии не может быть двух одинаковых (с одинаковым набором четырех квантовых чисел) электронов, они должны отличаться какой-то характеристикой, например направлением спина

Рассматривая непрерывный спектр частот осцилляторов, ___ показал, что основной вклад в среднюю энергию квантового осциллятора вносят колебания низких частот, соответствующих упругим волнам

Расчет электропроводности металлов, выполненный на основе квантовой теории электропроводности металлов, приводит к выражению для удельной электрической проводимости металла

Расчеты показывают, что в случае полупроводников n-типа уровень Ферми при ___ К расположен посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем

Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом ___ примесных носителей

Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника р-типа - в результате возникает примесная фотопроводимость

С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону - зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется температурной зависимостью ___ тока в нем