Список вопросов базы знаний

В VLG-транзисторах с индуцированным каналом канал создается в процессе изготовления

В газодинамических лазерах происходит возбуждение среды в результате преобразования внутренней энергии в световую

Канал транзистора является пассивной частью транзистора

Крутизна характеризует управляющее действие истока

МДП-транзисторы относятся к транзисторам с изолированным затвором

МОП-транзисторы - транзисторы с изолированным затвором

Общий электрод от контактов областей называется стоком

Оптотранзистор уступает по быстродействию обычным транзисторам

Основными статическими характеристиками транзистора с управляющим p-n-переходом являются выходные и характеристики прямой передачи

Параметром транзистора с управляющим p-n- переходом является крутизна стокозатворной характеристики

Параметры МДП-транзисторов зависят в большей мере от температуры, чем параметры биполярных транзисторов

Параметры фотодиодов зависят от температуры

Полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности спектрального состава падающего излучения, можно отнести к фоторезисторам

Приборы, в которых лучистая энергия преобразуется в электрическую, являются фотоэлектрическими

Светодиоды обладают малой инерционностью

Светодиоды преобразуют электрическую энергию в энергию когерентного светового излучения

Сигнализация является представлением результатов контроля или измерений

Усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал

Фотодиод работает только в режиме фотопреобразователя

Чувствительность фототранзистора ниже чувствительности фотодиода

В конструкции рентгеношаблона используют в качестве подложек мембраны микронной толщины

В проекционной электронной литографии вычерчивается рисунок топологии с помощью электронного луча малого сечения, управляемого микропроцессором

В процессе проведения диффузии в замкнутой системе загружают пластины проводника и источники примеси в кварцевую ампулу

В установках непосредственного экспонирования фоторезиста применяются лазеры в литографических технологических процессах

В установках с пошаговой мультипликацией используются излучатели с вращающимися анодами

Время облучения зависит от угла сектора облучаемой окружности барабана

Для подготовки пластин высокого класса поверхности используется полировка пастами различных классов

Для подготовки пластин высокого класса поверхности используется химическое травление кремния

Для получения промежуточных фотошаблонов используются фотомультипликсоры

К способам создания технологического рисунка на пластине с помощью электронолитографии относится последовательное экспонирование каждого элемента топологии

Метод проекционной литографии с сохранением масштаба позволяет обрабатывать пластины диаметром до 350 мм

Методы твердофазной эпитаксии основаны на процессах кристаллизации из раствора или расплава

Нанесение фоточувствительной полимерной пленки на кремниевую пластину относится к этапам литографических процессов

По разрешающей способности проекционная электронолитография превосходит сканирующую

Проекционная электронная литография является непосредственным методом генерирования топологии с высокой разрешающей способностью

Производство кремниевых интегральных схем основывается на технологических процессах формирования в кристалле кремния большого количества транзисторных структур

Процесс гетероэпитаксии позволяет получать наращиваемые слои с составом, аналогичным подложке или отличающимся от нее только примесными свойствами

Радиационно-стимулированная диффузия является разновидностью метода ионной имплантации

Трудность получения тонких легированных слоев и редких р-n-переходов является недостатком метода ионной имплантации

Базовый матричный кристалл является матрицей нескоммутированных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки

В гибридных микросхемах пассивные элементы, межсоединения и контактные площадки выполняются методом пленочной технологии

В ИМС в основном применяют МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом

В матричных БИС электрические соединения выполняются с помощью одноуровневой металлизации

В основе конструкций ИМС лежит транзисторная структура

В репрограммируемой логической матрице возможно стирание информации при обучении ультрафиолетовыми лучами

Гибридные ИМС являются микросхемами, представляющими собой изолирующую подложку, на поверхности которой все элементы и межсоединения сформированы в виде послойно нанесенных пленок

Динамическая помехоустойчивость является способностью микросхемы противостоять воздействию импульсной помехи, длительность которой значительно меньше среднего времени задержки передачи сигнала через микросхему

Для БИС степень интеграции равна 3

ИМС на биполярных транзисторах являются технологически проще, чем ИМС на МОП-транзисторах

ИМС обладают высокой степенью надежности, что обеспечивается большим числом внутренних соединений